HNDSH20120CDN_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:250uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管拥有出色的电气性能，正向平均电流IF为20A，反向耐压VR高达1200V，适合在高电压应用中提供可靠保护。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少能量损耗。该器件的反向漏电流IR控制在250μA以下，保证了低功耗运行；非重复峰值浪涌电流IFSM为71A，能够有效应对瞬态过载情况。它适用于需要高效、稳定电力转换的各种场合。
