HNDSH30120CDN_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:30A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:200uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有优异的电气特性，支持高达30A的正向平均电流IF和1200V的反向耐压VR，适用于需要承受高电压的工作环境。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少热损耗并提高效率。该二极管的反向漏电流IR低至200μA，保证了良好的电能管理；同时，非重复峰值浪涌电流IFSM达到100A，增强了对瞬时大电流冲击的抵抗力。它适合于各种追求高效、稳定性能的应用场合。
