HFFSD0665A_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅二极管具备6A的正向电流承载能力（IF/A），并能承受高达650V的反向电压（VR/V）。其工作时产生的正向电压（VF/V）仅为1.3V，且在反向状态下，其漏电流（IR/uA）保持在50μA。该二极管还具有48A的瞬态正向浪涌电流处理能力（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于要求高效率和可靠性的开关电路及能量转换系统中。
