HSTPSC4H065BTR_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），并能承受最高650伏特的反向电压（VR），适合用于需要可靠高压保护的电路中。其正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下可以减少电力损耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，显示了良好的阻断性能。此外，该二极管还具有36安培的峰值电流能力（IFSM），能够在短时间内承受较高的电流冲击，适用于要求快速开关及高效能的电子设计中。这些特点共同保证了其在多种精密应用中的优异表现。
