HIDH04G65C5XKSA2_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有4安培的正向电流（IF），可在高压环境下稳定工作，其最大反向电压（VR）为650伏特。正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，显示出良好的关闭特性。其峰值电流（IFSM）为23安培，意味着它可以处理瞬时高电流需求。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高效能和可靠性的电子设备中。
