HC6D10065G_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管设计精良，具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR，满足高功率应用需求。其正向压降VF仅为1.3伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向漏电流IR控制在50微安，确保设备在高温工作环境中的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培，增强了器件的抗冲击能力。适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。
