HFFSD10120A_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅二极管具备10安培的最大正向电流（IF/A），同时支持最高1200伏特的反向电压（VR/V），使其能够在高压环境下保持稳定工作。正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有效降低了导通时的能量损耗。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，展示了出色的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）为90安培，意味着它可以在短时间内承受电流峰值而不损坏。适用于要求高效率与可靠性的电源转换及高频开关电路。
