HFFSH2065BDNF085_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管拥有20A的正向电流（IF/A），并且能够承受650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，有助于提升效率并减少能量损失。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为50微安，在高压环境下依然保持稳定的阻断特性。此外，其瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到70A，适合应用于需要快速开关及高可靠性的电路设计方案中。
