HSTPSC10H12G2YTR_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅二极管设计有10A的正向电流（IF）承载能力，并能承受高达1200V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.4V，确保了较低的能量损耗。在反向特性方面，该二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，显示了优良的阻断特性。此外，它还能承受90A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），使其成为高频开关电源以及需要高性能开关特性和可靠性的应用中的理想选择。
