HSCS240AE2GC11Z_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:40A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:40uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅二极管具备优异的电学性能和良好的热稳定性，适用于多种高效率电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，支持在较高电压条件下稳定工作。正向导通压降（VF）为1.35V，有效降低导通损耗，提升整体能效。反向漏电流（IR）低至40μA，表现出优异的阻断能力。同时，该器件可承受最高300A的浪涌电流（IFSM），具备较强的瞬态过流适应性。广泛应用于高频开关电源、光伏逆变系统及通信设备电源模块中，满足对效率、密度与可靠性有要求的应用场景。
