HC6D04065E_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管设计有4安培的最大正向电流（IF/A），能承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。在反向偏置状态下，其漏电流（IR/uA）不超过50微安，显示了良好的阻断性能。该二极管还具备36安培的峰值浪涌电流（IFSM/A），能够在极端情况下提供额外的安全裕量。这些特性使其非常适合应用于需要快速切换及稳定性能的电路中，如高频开关电源转换和逆变技术等领域。
