HC4D10120E_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压和大电流场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。反向漏电流（IR/uA）为100微安，显示了良好的阻断能力。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到90A，表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值，适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。
