HC6D20065A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款碳化硅二极管设计有20安培的最大正向电流（IF/A），并能承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少能量损耗。在反向状态下，漏电流（IR/uA）为100微安，显示了较好的绝缘性能。此外，它支持高达123安培的瞬态正向电流（IFSM/A），适用于需要快速切换与稳定性能的高频电路中，可有效提升系统的整体效率。
