HC6D08065A_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力（IF/A），并支持高达650V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电子设备。其正向电压降（VF/V）为1.3V，在导通期间有助于降低功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，展示了优异的阻断特性。此外，其瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）可达64A，使其能够在短时间内承受较大的电流冲击，适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。
