HWNSC051200Q_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:5A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:150uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），且能够承受最高1200V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电路设计。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低能耗。在室温条件下，反向漏电流（IR/uA）不超过150微安，显示出良好的阻断性能。此外，该二极管可以承受高达46A的瞬态浪涌电流（IFSM/A），使其成为需要处理短暂高电流脉冲应用场景的理想选择。基于这些特性，它非常适合用于要求高效率和高可靠性的开关电源以及其他对电压稳定性有严格要求的领域。
