HIDW40G65C5BXKSA2_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:40A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:40uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅二极管具有优异的电气性能与高可靠性，适用于多种高效能电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，可稳定运行于较高电压环境。正向压降（VF）为1.35V，在导通状态下能量损耗较低，有助于提升系统效率。反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的阻断特性。器件还具备300A的浪涌电流（IFSM）承受能力，能够应对瞬态过流情况。该产品广泛适用于高频电源转换器、太阳能逆变装置及通信基础设施中的电源模块，满足对效率、密度与稳定性有较高要求的应用场景。
