HIDH04G65C6XKSA1_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF），可承受高达650伏特的反向电压（VR），确保了其在高压条件下的稳定表现。该二极管的正向电压（VF）为1.3伏特，在导通状态下能够减少电力损耗。反向电流（IR）仅为50微安，体现了出色的绝缘性能。同时，它还拥有23安培的最大正向浪涌电流（IFSM），能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择，适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。
