HIDH08G120C5XKSA1_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:250uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管设计有8A的最大正向电流（IF），并在高达1200V的反向电压（VR）下保持稳定。其正向电压（VF）为1.5V，有助于减少导通时的电力损耗。在反向测试中，漏电流（IR）为250μA，展示了优异的隔离性能。此外，瞬态正向电流（IFSM）可达64A，表明其具有强大的抗短时电流冲击能力。适用于高频PWM变换器、不间断电源系统等需要高性能和可靠性的场合。
