HIDK10G65C5XTMA2_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF）承载能力，并能承受650伏特的反向电压（VR）。其正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于提升电路效率。反向漏电流（IR）控制在50微安以内，展现了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM）可以达到80安培，适合应用于需要快速切换且对电流峰值有一定要求的场景中，如高性能电源转换和其他需要可靠二极管性能的技术领域。
