HC3D20065D_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:40uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，以及高达650V的反向电压(VR/V)，确保了其在高电压和大电流条件下的稳定性能。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损失。该二极管的反向漏电流(IR/uA)为40微安，在大多数应用中都能保持良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可以达到150A，使得它能够承受短时内的电流峰值。这些特性使其适用于需要高效能和可靠性的多种电路设计中。
