HSS26E352T_SMB_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:60V 参数3：压降VF:0.7V 参数4：反向电流IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款肖特基二极管具有2安培的最大正向电流（IF），并且能够承受最高60伏特的反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR）最大为500微安。此元件还设计有瞬间峰值电流（IFSM）承受能力，最高可达50安培。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如在电源管理、电池充电控制及高速信号传输路径上的保护等方面。
