HSS16HE3BH_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:60V 参数3：压降VF:0.7V 参数4：反向电流IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款肖特基二极管具有1安培的最大正向电流（IF），能够承受最高60伏特的反向电压（VR），其正向电压降（VF）为0.7伏特，在反向电压下，漏电流（IR）不超过500微安。该二极管还拥有30安培的瞬时峰值电流能力（IFSM），适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如电源整流或保护电路等场合。
