HUS1JHE3AH_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:600V 参数3：压降VF:1.7V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款快恢复二极管设计用于高频开关应用，具有1A的平均正向电流（IF），并在反向电压（VR）下可承受高达1000V的电压。其正向电压降（VF）仅为1.7V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级别（5µA），保证了设备在非导通状态下的低功耗特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达30A，适用于需要承受短时电流峰值的应用场景。这些特性使得该二极管成为在需要快速切换及高效率表现的电路设计中的理想选择。
