HUS1JE35AT_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:600V 参数3：压降VF:1.7V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复/高效率二极管具备1A的额定正向电流（IF），同时拥有600V的最大反向电压（VR），适合用于高压环境下的设计需求。其正向电压降（VF）为1.7V，有助于减少电力损耗，提高整体效率。反向漏电流（IR）不超过5μA，在非导通期间能有效抑制电流泄漏。瞬时峰值电流（IFSM）可以承受高达30A，适用于需要应对突发大电流冲击的场合。这种二极管是构建高性能开关电源、直流变换器及其他需要快速切换特性的电子装置的理想选择。
