HUS1GE35AT_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:400V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款快恢复二极管具备高效率特点，额定最大平均正向电流（IF）为1A，可承受的最高反向电压（VR）为400V。当处于正向导通状态时，其电压降（VF）为1.3V，有助于保持较高的转换效率。反向漏电流（IR）维持在较低水平，仅为5μA，同时支持瞬态大电流（IFSM）30A的冲击。该二极管适用于要求严苛的高频切换电路及需要快速恢复时间的应用场合。
