HES1DHE3AI_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:200V 参数3：压降VF:0.95V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复二极管设计精良，具有高效的性能表现。其最大平均正向电流（IF）为1A，能够稳定处理200V的最大反向电压（VR）。在正向导通时，电压降（VF）低至0.95V，有效降低能耗。反向漏电流（IR）被限制在5μA，确保了在待机模式下的低功耗表现。此外，该二极管可以承受高达30A的瞬态正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电路和其他需要快速恢复时间和高效率的应用场景中。
