HUS1MHE3AH_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:1000V 参数3：压降VF:1.7V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流（IF）和高达1000V的反向电压（VR），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF）仅为1.7V，在保证性能的同时减少了能量损耗。反向漏电流（IR）控制在5μA以内，确保了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态峰电流（IFSM）可达30A，适用于需要处理瞬间大电流的应用场合。该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及各类电子设备中的整流与保护电路中。
