US3M_SMB_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：/ 参数1：电流IO:3A 参数2：电压VR:1000V 参数3：压降VF:1.7V 参数4：反向电流IR:10uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复/高效率二极管具备3A的正向电流（IF）和1000V的反向耐压（VR），适用于需要高效电压转换与稳定性的应用环境。其正向电压（VF）为1.7V，在保证较低能量损耗的同时，确保了电能的有效利用。该二极管的反向漏电流（IR）仅为10uA，有助于减少不必要的能耗，提高整体效率。瞬态正向峰值电流（IFSM）高达100A，使其能够在突发高负载情况下维持卓越性能，适合用于各种高效电源管理系统，提供可靠支持并增强系统的稳定性。
