LSIC2SD120A10A-HXY_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管 参数1：电流IO:12A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:150uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有12A的正向电流(IF)和1200V的反向电压(VR)，适用于高要求的电力转换场景。其正向电压(VF)为1.35V，有助于降低能耗，提升效率。漏电流(IR)控制在150微安(uA)，确保了使用的安全性与稳定性。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)高达130A，使其能够承受较高的瞬态电流冲击，非常适合用于高效能电源供应及可再生能源系统中，增强设备的耐用性和运行效率，满足严苛的应用需求。
