HC3D20065H_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:10uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管专为高效能应用设计，具备20A的正向电流(IF)，适合于需要高电流处理能力的场合。其反向电压(VR)高达650V，确保在高压环境下的稳定性和可靠性。正向电压(VF)低至1.35V，有助于减少能量损耗，提高整体效率。漏电流(IR)仅为10微安(uA)，保证了设备在待机状态下的低能耗。此外，它拥有150A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，使其能够承受瞬时的大电流冲击，保护电路不受损坏。该二极管是追求高效、可靠电力转换解决方案的理想选择。
