GC10MPS12-220-HXY_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管 参数1：电流IO:12A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:150uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管专为高性能电力电子设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.35V，有助于降低能量损耗，而反向漏电流(IR)仅为150uA，确保了在非导通状态下的高效率。瞬态正向电流(IFSM)高达130A，使其能够承受显著的峰值电流而不损坏。这些特性使它成为需要高效能和稳定性的电力转换应用的理想选择，适合于各种要求严格的电源管理系统中。
