HC4D12120A_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管 参数1：电流IO:12A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:150uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)为1.35V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。反向漏电流(IR)低至150微安(uA)，确保了在非导通状态下的高效率。最值得注意的是，它能够承受高达130A的峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)，使其成为应对瞬时过载情况的理想选择。此款二极管适用于需要高可靠性、高速开关及高能效比的电源转换系统中。
