SICF1060P-BP_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)，适用于需要高耐压和适中电流能力的应用场景。其正向电压(VF)为1.3V，有助于降低工作时的能量损耗，提升能效。漏电流(IR)被控制在50微安(uA)，确保了较低的静态功耗。此外，它能够承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，增强了对瞬态过载情况的耐受力。该组件适合用于高效电力转换系统及保护电路，为各种电子设备提供稳定可靠的性能支持。
