C6D06120A_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管 参数1：电流IO:5A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF)，能够承受高达1200V的反向电压(VR)，其正向电压(VF)在额定电流下为1.4V，保证了较低的能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表现出卓越的绝缘性能，同时峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)可达45A，使其在高瞬态条件下依然稳定可靠。这些特性使它成为高效能电源转换和管理应用中的理想组件，特别适用于需要高压、高速开关操作的场合。
