MMBD914LT1G_SOT-23_开关二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：开关二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:0.3A 参数2：电压VR:100V 参数3：压降VF:1V 参数4：反向电流IR:1uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款开关二极管具有典型正向电流(IF)为0.3安培，反向电压(VR)高达100伏特，确保了其在高电压应用中的可靠性。该器件的正向电压降(VF)仅为1伏特，在导通状态下能够有效减少能量损耗。在关闭状态下，其反向漏电流(IR)低至1微安，表明它能够很好地阻止反向电流通过。此外，瞬时正向浪涌电流(IFSM)可达2安培，使其能够在短时间承受较大的电流冲击。这些特性使得此二极管适用于高频信号切换、逻辑电平转换等多种电路设计中。
