US2D-B_SMB_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:200V 参数3：压降VF:1V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复/高效率二极管设计紧凑，具备2安培的最大正向电流（IF），并且能够承受最高200伏特的反向电压（VR），确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向压降（VF）为1伏特，在大电流通过时能量损失较小。其反向漏电流（IR）控制在微安级别（5微安），表明在关闭状态下几乎无电流泄露，有助于提高系统的整体效率。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达60安培，表明它能短暂处理超出正常操作范围的大电流冲击。这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要快速开关特性的电路中，以减少能量损耗并提升转换效率。
