ES2JFSH_SMAF_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:600V 参数3：压降VF:1.7V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款快恢复高效率二极管专为高能效应用设计，提供2A持续电流与600V耐压能力，低至1.7V的正向压降确保了卓越的能量利用效率。其反向漏电仅5μA，体现了优秀的静态特性。此外，它能承受50A浪涌电流冲击，非常适合需要瞬时大电流处理能力的精密电路保护与高效电源转换场景，如高级消费电子和可再生能源系统中，是追求高性能与可靠性的理想选择。
