S3D10065E-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，导通时正向压降（VF）低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器，能够有效降低开关损耗，提升整体能效，并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。
