S4D02120A-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.36V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其高耐压特性与低导通损耗相结合，有助于提升电路转换效率。器件利用碳化硅材料的优异性能，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关过程中的能量损耗与发热。适用于高效率电源转换拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC变换器及高压整流应用，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子系统。
