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VSC04ET07T-M3-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-220C-2L 类别:碳化硅二极管 最小包装:50/管装 参数1:电流IO:4A 参数2:电压VR:650V 参数3:压降VF:1.53V 标价:欢迎咨询

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产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式器件,具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)为1.53V。基于碳化硅材料,具备优异的高频开关性能与较低的反向恢复电荷,可显著减少开关损耗。其耐高温特性支持在高热应力环境下稳定运行,有助于提升系统能效与功率密度。适用于高效率电源转换应用,如服务器电源、可再生能源逆变装置、储能系统中的功率变换模块以及高密度AC-DC/DC-DC转换器,适合对热管理与空间布局有较高要求的场景。

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