DSC04C065D1-13-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复耐压（VR）达650V，具备良好的电压承受能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，该二极管表现出优异的高温稳定性与快速开关性能，反向恢复电荷极小，有助于减少系统开关损耗。适用于高效率开关电源、直流变换模块、光伏逆变单元及高功率密度电源系统，适合对热管理与能效要求较高的应用场景。
