C6D08065E-TR-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高电压功率转换应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能，可支持高频运行。独立封装设计便于电路集成与热管理，适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节，满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。
