IDL08G65C5-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.42V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的电力转换应用。其正向压降（VF）典型值为1.42V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能和良好的热导率，反向恢复电荷小，可减少开关过程中的能量损耗。广泛应用于高效开关电源、可再生能源发电系统的逆变模块、储能设备中的整流电路以及对能效和功率密度要求较高的电力电子装置。
