WNSC10650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具备出色的开关速度与高温工作稳定性，适用于需要快速恢复和高可靠性的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，可满足对散热性能和空间布局有严苛要求的设计需求。
