S3D08065L-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.42V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低系统开关损耗。其封装设计有利于散热与电路集成，适用于高频率、高效率的电力转换场合，如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景，有助于提升整体能效与系统可靠性。
