IDH06G65C5XKSA2-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.36V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）为1.36V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力，可有效支持高频工作条件。典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路，适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。
