FFSM0665B-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.32V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.32V，显著减少导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，器件具备优良的高温工作能力与快速恢复特性，支持高频开关运行。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、可再生能源发电系统的功率调节模块、高密度电源适配器以及不间断电源设备中的整流与反向阻断电路，适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子设计。
