SICU0860P-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有快速反向恢复能力，可有效减少开关损耗，支持高频工作模式。器件热稳定性良好，适合在高功率密度电源系统中运行。主要应用于高效开关电源、DC-DC变换器、有源功率因数校正电路等对效率与可靠性要求较高的电子设备中。
