C4D02120A-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.36V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压、中低电流的功率转换场合。其正向压降（VF）典型值为1.36V，导通损耗较低，有助于提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的反向恢复能力，开关速度快，反向恢复电荷小，适用于高频工作环境。可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中，支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。
