C6D06065Q-TR-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.32V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）低至1.32V。依托碳化硅半导体材料，具备出色的热稳定性和极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流小。适用于高效率、高频率的电力转换场景，如通信电源、不间断电源系统、光伏逆变器中的续流与整流环节，以及高功率密度的开关电源模块，有助于降低系统功耗，提升整体能效与运行可靠性。
